В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ONSemiconductor
Техническая спецификация
—
Структура: N-канал,
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600,
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12,
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 5,
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 530,
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39,
Крутизна характеристики S,А/В: 13.5,
Особенности: -,
Температура, С: -55...+150,
Корпус: TO220FP
Описание FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F]
FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F] - Транзисторы полевые
Транзисторы полевые FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F]
Наличие
Техническая спецификация
ONSemiconductor |
Структура: N-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 5, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 530, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39, Крутизна характеристики S,А/В: 13.5, Особенности: -, Температура, С: -55...+150, Корпус: TO220FP |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров