SKM200GAR123D, 1IGBT+diod emit 200А

Semikron

Макс.напр.к-э,В: 1200, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5, Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 200, Структура модуля: 1 транзистор+диод, Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах, Максимальная частота модуляции,кГц: -, Входная емкость затвора,нФ: 10, Мощность привода, кВт: -, Драйвер управления: внешний, Защита по току: -, Защита от короткого замыкания: -, Защита от перегрева: -, Защита от пониженного напряжения питания: -, Максимальная рассеиваимая мощность,Вт: 1380, Максимальный ток эмиттера, А: 400, Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В: 5.5, Напряжение эмиттер-коллектор,В: 2.5, Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс: 100, Напряжение изоляции, В: 2500, Температурный диапазон,С: -40...150