Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
- Производитель: Semikron
- Модель: SKM100GB12T4
- Тип модуля: IGBT-Half-Bridge (SEMITRANS 2)
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Номинальный ток коллектора ICnom: 100 А
- Непрерывный ток коллектора при температуре корпуса 25 °C: 160 А
- Импульсный ток коллектора ICRM (3×ICnom): 300 А
- Максимальная температура перехода (Tj): до +175 °C
- Рабочая температура окружающей среды: от -40 до +150 °C
- Сопротивление насыщения VCE(sat) при IC 100 А: около 1.8…2.05 В при VGE 15 В
- Технология: IGBT4 (Trench), диод CAL4 Soft-Switching, база медного DBC, интегрированный резистор затвора
- Частота переключения (рекоменд.): до 20 кГц
- Изоляция основания: медная основа с изолированной платой (isolated copper baseplate)
- Корпус и монтаж: модуль SEMITRANS 2, монтаж на панель, крепёж винтами (stud terminals)
- Размеры (L×W×H): примерно 94 × 34 × 30 мм
- Вес нетто: около 0.16 кг
- Совместимость с RoHS: да
Описание IGBT модуль SKM100GB12T4
Модуль SKM100GB12T4 от Semikron представляет собой мощное полумостовое IGBT-решение серии SEMITRANS 2, предназначенное для промышленных приложений, где важны надёжность, высокая нагрузочная способность и стабильность. Этот модуль поддерживает напряжение до 1200 В, номинальный ток коллектора в 100 А, непрерывный ток при корпусной температуре 25 °C - до 160 А, и способен безопасно выдерживать импульсные пики до 300 А. Высокая температурная устойчивость — до +175 °C на переходе — позволяет применять устройство в нагруженных режимах и экстремальных условиях эксплуатации.
Технология IGBT4 (Trench) и CAL4-диод с мягким восстановлением обеспечивают минимальные потери при переключениях. Благодаря медной изолированной базе (DBC) и интегрированному резистору затвора достигается улучшенный тепловой контакт и уменьшение паразитных эффектов. Сопротивление насыщения около 1.8-2.05 В при номинальной нагрузке позволяет снизить выделение тепла и повысить коэффициент полезного действия схемы.
Модуль оптимально подходит для переключений с частотой до 20 кГц, что делает его востребованным в преобразователях переменного тока, источниках бесперебойного питания и сварочных устройствах. Размеры модуля (примерно 94×34×30 мм), монтаж на панель и надёжные винтовые соединения способствуют эстетичной и прочной интеграции в силовые блоки и промышленные шкафы.
Области применения
- Промышленные преобразователи частоты (inverter drives)
- Сварочные аппараты и системы нагрева с активными IGBT-ключами
- Системы UPS и резервного питания большой мощности
- Энергетика: преобразователи в ветровых и солнечных системах
- Автоматизированное машиностроение, насосы, компрессоры, вентиляция
- Активные фильтры, системы компенсации реактивной мощности
- Силовая электроника в тяжелых условиях — высокая температура, частые переключения
Документация
Техническая спецификация
| 
 | 


 
										 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		 
																		