IGBT модуль SKM100GB125DN

SKM100GB125DN от Semikron — высокопроизводительный IGBT-модуль полумостовой топологии из семейства SEMITRANS, созданный для требовательных силовых применений. Модуль рассчитан на рабочее напряжение 1200 В и номинальный ток 100 А; его конструкция с низкой паразитной индуктивностью и коротким хвостовым током обеспечивает минимальные коммутационные потери и стабильную работу при высоких частотах переключения.

В основе SKM100GB125DN — изолированная медная подложка DCB, что даёт высокую теплопроводность и надёжный тепловой контакт с радиатором. Модуль обладает высокой короткозамыкательной стойкостью с самоограничением пиков до примерно 6 × Icnom и оснащён быстрыми CAL-диодами с мягким восстановлением, что снижает энергетические выбросы при переключениях и рекуперации. Низкая индуктивность корпуса упрощает проектирование высокоскоростных инверторов и уменьшает потери при переходных процессах.

Типичные области применения включают коммутацию в переключаемых источниках питания и резонансных инверторах (работа >20 кГц), индукционный нагрев, сварочные устройства и другие промышленные преобразователи, где требуются компактность, высокая плотность мощности и надёжность. Большие клиренс и крипейдж, а также стандартный винтовой монтаж делают интеграцию на радиатор удобной и безопасной.

При проектировании важно опираться на полный даташит Semikron для конкретных электрических и тепловых параметров (включая графики коммутации, термические характеристики и рекомендации по монтажу). SKM100GB125DN применяется там, где критичны низкие коммутационные потери, высокая пиковая прочность и простота интеграции в промышленные силовые шкафы и модули.