FP25R12KT4_B15, IGBT модуль 1200В 25А EconoPIM2

Infineon

Макс.напр.к-э,В: 1200, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: -, Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25, Структура модуля: -, Тип силового модуля: -, Максимальная частота модуляции,кГц: -, Входная емкость затвора,нФ: -, Мощность привода, кВт: -, Драйвер управления: -, Защита по току: -, Защита от короткого замыкания: -, Защита от перегрева: -, Защита от пониженного напряжения питания: -, Максимальная рассеиваимая мощность,Вт: -, Максимальный ток эмиттера, А: -, Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В: -, Напряжение эмиттер-коллектор,В: -, Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс: -, Напряжение изоляции, В: -, Температурный диапазон,С: -