В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Mitsubishi Electric
Техническая спецификация
—
Макс.напр.к-э,В 1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Входная емкость затвора,нФ 72
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 6250
Максимальный ток эмиттера, А 1600
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 5.5
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.3
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1300
Напряжение изоляции, В 4000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Входная емкость затвора,нФ 72
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 6250
Максимальный ток эмиттера, А 1600
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 5.5
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.3
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1300
Напряжение изоляции, В 4000
Описание CM800DZ-34H, 2 HV-IGBT 1700V 800A
Тяговые приводы, преобразователи / инверторы высокой надежности, прерыватели постоянного тока
Модули HVIGBT (высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором) 3-й версии
Модули HVIGBT (высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором) 3-й версии
- IC 800 А
- VCES 1700 В
- Высокая изоляция
- Плата AlSiC
Документация
Наличие
Техническая спецификация
Mitsubishi Electric |
Макс.напр.к-э,В 1700 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.6 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800 Структура модуля полумост Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах Максимальная частота модуляции,кГц 15 Входная емкость затвора,нФ 72 Драйвер управления внешний Защита по току нет Защита от короткого замыкания нет Защита от перегрева нет Защита от пониженного напряжения питания нет Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 6250 Максимальный ток эмиттера, А 1600 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 5.5 Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.3 Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1300 Напряжение изоляции, В 4000 |
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Есть в наличии: 10
13 000 ₽
Варианты цен
13 000 ₽
Есть в наличии: 1
67 400 ₽
Варианты цен
67 400 ₽
Есть в наличии: 19
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Есть в наличии: 8
11 500 ₽
Варианты цен
11 500 ₽
Есть в наличии: 1
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Есть в наличии: 62
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
6 150 ₽
Варианты цен
6 150 ₽
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽
Под заказ 3-4 недели
18 700 ₽
Варианты цен
18 700 ₽
Есть в наличии: 2
18 000 ₽
Варианты цен
18 000 ₽
Есть в наличии: 2
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Есть в наличии: 2
10 000 ₽
Варианты цен
10 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
5 539 ₽
Варианты цен
5 539 ₽
Есть в наличии: 10
26 700 ₽
Варианты цен
26 700 ₽
Под заказ 3-4 недели
5 490 ₽
Варианты цен
5 490 ₽
Под заказ 3-4 недели
77 800 ₽
Варианты цен
77 800 ₽
Есть в наличии: 119
2 500 ₽
Варианты цен
2 500 ₽
Под заказ 3-4 недели
9 000 ₽
Варианты цен
9 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
64 100 ₽
Варианты цен
64 100 ₽
Под заказ 3-4 недели
83 940 ₽
Варианты цен
83 940 ₽