В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Mitsubishi Electric
Техническая спецификация
—
Макс.напр.к-э,В 1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.15
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1200
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Входная емкость затвора,нФ 176
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 6500
Максимальный ток эмиттера, А 2400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.6
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 400
Напряжение изоляции, В 4000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.15
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1200
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Входная емкость затвора,нФ 176
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 6500
Максимальный ток эмиттера, А 2400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.6
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 400
Напряжение изоляции, В 4000
Описание CM1200DC-34N, 2 HV-IGBT 1700V 1200A
Тяговые приводы, преобразователи / инверторы высокой надежности, прерыватели постоянного тока
- IC 1200А
- VCES 1700В
- Изолированный тип
- 2 элемента в упаковке
- Опорная плита AISiC
- Траншейный затвор IGBT: CSTBT™
- Диод мягкого обратного восстановления
Документация
Наличие
Техническая спецификация
| Mitsubishi Electric |
|
Макс.напр.к-э,В 1700 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.15 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1200 Структура модуля полумост Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах Максимальная частота модуляции,кГц 15 Входная емкость затвора,нФ 176 Драйвер управления внешний Защита по току нет Защита от короткого замыкания нет Защита от перегрева нет Защита от пониженного напряжения питания нет Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 6500 Максимальный ток эмиттера, А 2400 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7 Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.6 Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 400 Напряжение изоляции, В 4000 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 22
5 704 ₽
Варианты цен
5 704 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
15 576 ₽
Варианты цен
15 576 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
11 256 ₽
Варианты цен
11 256 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 6
7 504 ₽
Варианты цен
7 504 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 27
13 000 ₽
Варианты цен
13 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 7
9 000 ₽
Варианты цен
9 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 62
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
16 200 ₽
Варианты цен
16 200 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
6 150 ₽
Варианты цен
6 150 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
18 700 ₽
Варианты цен
18 700 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
13 504 ₽
Варианты цен
13 504 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 2
10 000 ₽
Варианты цен
10 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
19 000 ₽
Варианты цен
19 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
5 539 ₽
Варианты цен
5 539 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
5 490 ₽
Варианты цен
5 490 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
9 000 ₽
Варианты цен
9 000 ₽
