Транзистор APT75GP120B2G

APT75GP120B2G — это высоковольтный IGBT-транзистор серии POWER MOS 7® от Microchip Technology, предназначенный для коммутации мощных нагрузок. Он способен выдерживать напряжение до 1200 В и обеспечивать ток до 100 А при постоянной нагрузке, а при пиковых коротких импульсах — до 300 А. Корпус TO‑247-3 обеспечивает удобный монтаж и эффективный отвод тепла.

Благодаря технологии PT (Punch‑Through), APT75GP120B2G обладает низким насыщением V_CE(sat) всего 3,9 В при V_GE=15 В и токе 75 А, а также минимальными потерями при коммутации. Он поддерживает частоту переключения, позволяющую использовать его в преобразователях частоты, ИБП, инверторах и системах управления двигателями.

Транзистор оборудован встроенной защитой от выхода за пределы напряжения затвор–эмиттер ±20 В и рассчитан на длительную работу при температуре перехода до +150 °C. Это делает его надёжным компонентом в тяжёлых условиях эксплуатации.

APT75GP120B2G идеален для промышленных применений: силовые инверторы, преобразователи, системы управления двигателями, солнечные и энергетические установки, а также ИБП. Универсальность корпуса и превосходные электрические характеристики позволяют использовать его и в автомобильной силовой электронике, и в бытовых мощных устройствах.