HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D — это высоковольтные переключающие устройства с МОП-транзисторами, сочетающие в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярных транзисторов. Это устройство имеет высокий входной импеданс MOSFET и низкие потери проводимости в открытом состоянии биполярного транзистора. Гораздо меньшее падение напряжения во включенном состоянии незначительно изменяется в диапазоне от 25°C до 150°C. Используемый IGBT представляет собой тип разработки TA49343. Диод, используемый в встречно-параллельном соединении, представляет собой тип разработки TA49373.
Этот IGBT идеально подходит для многих высоковольтных переключателей, работающих на высоких частотах, где необходимы низкие потери проводимости. Это устройство оптимизировано для высокочастотных импульсных источников питания.