В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba
Техническая спецификация
—
- FRD included between emitter and collector
- Enhancement mode type
- High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = −20 A/μs)
- Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)
Описание GT60N321, Параметры: Vces=900В. Проверено, TO264
Коммутационные приложения высокой мощности
IGBT четвертого поколения
Vces=900В
IGBT четвертого поколения
Vces=900В
Документация
Техническая спецификация
| Toshiba |
|
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 20
2 200 ₽
Варианты цен
2 200 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 39
350 ₽
Варианты цен
350 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 220
2 100 ₽
Варианты цен
2 100 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
3 200 ₽
Варианты цен
3 200 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
2 000 ₽
Варианты цен
2 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
