Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
- Производитель: ON Semiconductor
- Модель: FGL40N120AND
- Тип устройства: IGBT NPT с анти-параллельным диодом
- Номинальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±25 В
- Номинальный ток коллектора при TC = 25 °C: 64 А
- Номинальный ток коллектора при TC = 100 °C: 40 А
- Импульсный ток коллектора: 160 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: типично 2,6 В при 40 А, максимальное 3,2 В
- Максимальная мощность рассеяния при TC = 25 °C: 500 Вт
- Рабочая температура кристалла: от -55 °C до +150 °C
- Тип корпуса: TO-264
- Время задержки включения td(on): порядка 15 нс
- Время задержки выключения td(off): порядка 110 нс
- Типичные потери при включении Eon: 2,3 мДж
- Типичные потери при выключении Eoff: 1,1 мДж
Описание ТРАНЗИСТОР FGL40N120AND
FGL40N120AND представляет собой силовой IGBT-транзистор с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, разработанный для быстрого переключения и низких потерь в промышленных приложениях. Благодаря технологии NPT (Non-Punch-Through) данный компонент обеспечивает минимальное напряжение насыщения (типично 2,6 В при 40 А) и высокую входную сопротивляемость. Это делает устройство идеальным для преобразователей частоты, систем бесперебойного питания и управляемых приводов.
Этот транзистор имеет импульсную способность до 160 А, что позволяет выдерживать нагрузки при коротких импульсах и высоких перегрузках. Диапазон рабочей температуры охватывает минус 55 °C до плюс 150 °C, что делает его пригодным для эксплуатации в суровых условиях. Благодаря встроенному быстродействующему диоду обратной связи (FRD) устройство подходит для индуктивных нагрузок и частотно-управляемых систем.
Область применения
- Индукционное нагревание
- Источники бесперебойного питания UPS
- Управление асинхронными и синхронными электродвигателями
- Общие промышленные инверторы
- Энергосберегающие системы и энергоэффективные преобразователи
Документация
Техническая спецификация
|

