BSM100GB120DN2HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon Technologies

BSM100GB120DN2HOSA1 производства Infineon Technologies — силовой IGBT-модуль с базовым обозначением BSM100GB120DN2. Устройство выполнено по схеме полумоста и включает два IGBT-транзистора с быстрыми обратными диодами. Корпус оснащён изолированной металлической опорной плитой, обеспечивающей электрическую изоляцию силовой схемы от радиатора и отвод тепла.

Максимальное напряжение коллектор–эмиттер составляет 1200 В, допустимое напряжение затвор–эмиттер — ±20 В. Постоянный ток коллектора достигает 150 А при температуре корпуса +25 °C и 100 А при +80 °C. Максимальный импульсный ток коллектора длительностью 1 мс составляет соответственно 300 А и 200 А. Допустимая рассеиваемая мощность одного IGBT при температуре корпуса +25 °C равна 800 Вт.

Пороговое напряжение затвора находится в диапазоне 4,5–6,5 В. Типичное напряжение насыщения коллектор–эмиттер при токе 100 А и управляющем напряжении 15 В составляет 2,5 В при +25 °C и 3,1 В при +125 °C. Типичная входная ёмкость равна 6,5 нФ, выходная ёмкость — 1 нФ, проходная ёмкость — 0,5 нФ. При испытательных условиях 600 В, 100 А и сопротивлении затвора 6,8 Ом типовое время включения составляет 130 нс, нарастания — 80 нс, выключения — 400 нс и спада — 70 нс.

Максимальная температура кристалла составляет +150 °C, диапазон хранения — −40…+125 °C. Тепловое сопротивление переход–корпус не превышает 0,16 К/Вт для IGBT и 0,3 К/Вт для обратного диода. Испытательное напряжение изоляции составляет 2500 В AC в течение 1 минуты. Длина пути утечки равна 20 мм, воздушный зазор — 11 мм, вес модуля — 420 г.

Область применения

• силовые полумостовые преобразователи;
• промышленные инверторы и преобразователи частоты;
• системы управления электродвигателями;
• источники бесперебойного питания и преобразовательная техника.