- Производитель: Infineon Technologies
- Модель: BSM25GD120DN2E3224BOSA1
- Тип компонента: IGBT модуль силовой трехфазный мост
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
- Номинальный DC ток коллектора при Tc 25 °C: 35 А
- Номинальный DC ток коллектора при Tc 80 °C: 25 А
- Импульсный ток коллектора (tp=1 мс Tc 25 °C): 70 А
- Импульсный ток коллектора (tp=1 мс Tc 80 °C): 50 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Сопротивление насыщения (VCE(sat)): 2.5 … 3.7 В
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Ток утечки затвор-эмиттер: около 180 нА
- Температурный диапазон эксплуатации: −40 … +150 градусов Цельсия
- Тепловое сопротивление кристалл-корпус (IGBT): ≤ 0.6 K/W
- Тепловое сопротивление кристалл-корпус (диод): ≤ 1.0 K/W
- Тип корпуса: EconoPACK 2
- Количество полупроводниковых элементов: 6 IGBT в трёхфазной конфигурации
Описание IGBT модуль Infineon BSM25GD120DN2E3224BOSA1 1200V 25A
IGBT модуль Infineon BSM25GD120DN2E3224BOSA1 это высоконадёжное силовое устройство предназначенное для применения в промышленной электронике и силовой энергетике. Этот модуль представляет собой интегрированный IGBT блок с быстрыми вращающимися диодами и низкими потерями при переключении что обеспечивает эффективную работу в преобразовательных и управляющих схемах. Модуль рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 вольт и продолжительный ток коллектора до 25 ампер на корпусе при температуре корпуса 80 °C что делает его оптимальным выбором для средних по мощности силовых приложений. Экономичная упаковка EconoPACK-2 позволяет устанавливать модуль на печатные платы или в силовые сборки с минимальными сложностями при монтаже обеспечивая хороший теплоотвод и надёжность контактов.
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 характеризуется устойчивой работой в диапазоне рабочих температур от минус сорока до плюс ста пятидесяти градусов Цельсия благодаря прочному корпусу и высококачественным материалам. Значение сопротивления насыщения коллектор-эмиттер порядка 2.5 … 3.7 вольт при стандартных условиях эксплуатации говорит о низких потерях при статическом режиме что положительно сказывается на общей эффективности системы. Встроенные свободновращающиеся диоды поддерживают снижение обратных всплесков напряжения и уменьшают электромагнитные помехи при коммутации индуктивных нагрузок.
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 подходит для использования в трёхфазных мостовых схемах приводов электродвигателей преобразователях частоты источниках бесперебойного питания аккумуляторных инверторах и солнечных системах а также в силовых конвертерах где важна надёжность и долговечность. Благодаря своей конструкции и рабочим параметрам модуль обеспечивает стабильную коммутацию при частотах стандартных сетей и в высокочастотных схемах при соблюдении рекомендаций по теплоотводу и монтажу.
Область применения
- трёхфазные инверторы и преобразователи частоты
- приводы переменного тока и серводвигатели
- источники бесперебойного питания и конверторы DC-AC
- солнечные и ветровые энергетические инверторы
- силовые модули управления в промышленной автоматике
Техническая спецификация
|
Отзывы
Похожие товары
