В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Advanced Power Technology
Техническая спецификация
—
- Low Conduction Loss
- 50 kHz operation @ 800V, 20A
- Low Gate Charge
- 20 kHz operation @ 800V, 44A
- Ultrafast Tail Current shutoff
- RBSOA Rated
Описание APT75GT120JRDQ3
POWER MOS 7® IGBT — это новое поколение силовых высоковольтных транзисторов IGBT. Используя технологию Punch Through, этот IGBT идеально подходит для многих высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений и был оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания.
Документация
Техническая спецификация
Advanced Power Technology |
|
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Есть в наличии: 19
13 800 ₽
Варианты цен
13 800 ₽
Есть в наличии: 1
13 500 ₽
Варианты цен
13 500 ₽
Есть в наличии: 4
3 800 ₽
Варианты цен
3 800 ₽
Есть в наличии: 2
21 000 ₽
Варианты цен
21 000 ₽
Есть в наличии: 1
12 500 ₽
Варианты цен
12 500 ₽
Есть в наличии: 1
17 300 ₽
Варианты цен
17 300 ₽
Есть в наличии: 22
6 336 ₽
Варианты цен
6 336 ₽
Есть в наличии: 6
7 500 ₽
Варианты цен
7 500 ₽
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Есть в наличии: 5
12 500 ₽
Варианты цен
12 500 ₽
Есть в наличии: 50
1 500 ₽
Варианты цен
1 500 ₽
Есть в наличии: 1
25 000 ₽
Варианты цен
25 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽
Под заказ 3-4 недели
6 150 ₽
Варианты цен
6 150 ₽
Есть в наличии: 3
14 000 ₽
Варианты цен
14 000 ₽
Есть в наличии: 4
19 000 ₽
Варианты цен
19 000 ₽
Есть в наличии: 2
13 200 ₽
Варианты цен
13 200 ₽
Есть в наличии: 5
26 800 ₽
Варианты цен
26 800 ₽
Под заказ 3-4 недели
5 539 ₽
Варианты цен
5 539 ₽