В корзину
Техническая спецификация
Производитель
—
Advanced Power Technology
Техническая спецификация
—
- Low Conduction Loss
- 50 kHz operation @ 800V, 20A
- Low Gate Charge
- 20 kHz operation @ 800V, 44A
- Ultrafast Tail Current shutoff
- RBSOA Rated
Описание APT75GT120JRDQ3
POWER MOS 7® IGBT — это новое поколение силовых высоковольтных транзисторов IGBT. Используя технологию Punch Through, этот IGBT идеально подходит для многих высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений и был оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания.
Документация
Техническая спецификация
| Advanced Power Technology |
|
Видео
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 2
4 500 ₽
Варианты цен
4 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 28
6 900 ₽
Варианты цен
6 900 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 6
8 000 ₽
Варианты цен
8 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
5 100 ₽
Варианты цен
5 100 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 2
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
9 400 ₽
Варианты цен
9 400 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
6 336 ₽
Варианты цен
6 336 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
16 500 ₽
Варианты цен
16 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 24
11 000 ₽
Варианты цен
11 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
9 800 ₽
Варианты цен
9 800 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 3
5 500 ₽
Варианты цен
5 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
5 000 ₽
Варианты цен
5 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 2
16 000 ₽
Варианты цен
16 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 9
24 431 ₽
Варианты цен
24 431 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
5 000 ₽
Варианты цен
5 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 14
10 000 ₽
Варианты цен
10 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
25 000 ₽
Варианты цен
25 000 ₽