Техническая спецификация
Производитель
—
Advanced Power Technology
Техническая спецификация
—
- Low Conduction Loss
- 50 kHz operation @ 800V, 20A
- Low Gate Charge
- 20 kHz operation @ 800V, 44A
- Ultrafast Tail Current shutoff
- RBSOA Rated
Описание APT75GT120JRDQ3
POWER MOS 7® IGBT — это новое поколение силовых высоковольтных транзисторов IGBT. Используя технологию Punch Through, этот IGBT идеально подходит для многих высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений и был оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания.
Документация
Техническая спецификация
| Advanced Power Technology |
|
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 6
5 400 ₽
Варианты цен
5 400 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 71
7 800 ₽
Варианты цен
7 800 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 51
1 100 ₽
Варианты цен
1 100 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
21 000 ₽
Варианты цен
21 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
13 500 ₽
Варианты цен
13 500 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
5 700 ₽
Варианты цен
5 700 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
3 420 ₽
Варианты цен
3 420 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
6 750 ₽
Варианты цен
6 750 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
15 570 ₽
Варианты цен
15 570 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
13 500 ₽
Варианты цен
13 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
25 000 ₽
Варианты цен
25 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 3
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 2
11 880 ₽
Варианты цен
11 880 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
18 700 ₽
Варианты цен
18 700 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
6 150 ₽
Варианты цен
6 150 ₽
