- Производитель: Infineon Technologies
- Модель: FF1400R17IP4
- Код заказа: FF1400R17IP4BOSA1
- Тип компонента: силовой IGBT-модуль
- Конфигурация: полумост
- Технология IGBT: TRENCHSTOP IGBT4, P4
- Технология диодов: Emitter Controlled 4
- Напряжение коллектор–эмиттер VCES: 1700 В
- Номинальный ток коллектора IC nom: 1400 А при TC = 100 °C
- Периодический пиковый ток коллектора ICRM: 2800 А при tp = 1 мс
- Ток короткого замыкания ISC: 5600 А при tp ≤ 10 мкс
- Максимальное напряжение затвор–эмиттер VGES: ±20 В
- Напряжение насыщения VCE(sat): 1,75 В тип., 2,20 В макс. при 25 °C
- Пороговое напряжение затвора: 5,2–6,4 В
- Заряд затвора: 13,5 мкКл
- Внутреннее сопротивление затвора: 1,6 Ом
- Входная емкость: 110 нФ
- Проходная емкость: 3,6 нФ
- Повторяющееся обратное напряжение диода VRRM: 1700 В
- Постоянный прямой ток диода IF: 1400 А
- Периодический пиковый ток диода IFRM: 2800 А при tp = 1 мс
- Прямое напряжение диода VF: 1,75 В тип., 2,45 В макс. при 25 °C
- Энергия включения Eon: 560 мДж при 150 °C
- Энергия выключения Eoff: 650 мДж при 150 °C
- Энергия обратного восстановления Erec: 385 мДж при 150 °C
- Тепловое сопротивление переход–корпус, IGBT: 15,5 К/кВт на один IGBT
- Тепловое сопротивление переход–корпус, диод: 32,5 К/кВт на один диод
- Тепловое сопротивление корпус–радиатор: 11,5 К/кВт на ключ
- Рабочая температура перехода: −40…+150 °C
- Максимальная температура перехода: +175 °C
- Температура хранения: −40…+150 °C
- Встроенный датчик температуры: NTC, 5 кОм при 25 °C
- Испытательное напряжение изоляции: 4 кВ RMS, 50 Гц, 1 минута
- Внутренняя изоляция: керамика Al₂O₃
- Материал основания: медь
- Длина пути утечки: 33 мм
- Воздушный зазор: 19 мм
- Индекс CTI: более 400
- Индуктивность силовых выводов: 10 нГн
- Корпус: PrimePACK 3, AG-PRIME3
- Размер корпуса: 250 × 89 мм
- Масса: 1200 г
- Соответствие требованиям: RoHS, UL Recognized E83335
- Тип упаковки: лоток, по 2 модуля
- Статус изделия: активное, предпочтительное для новых разработок
Описание FF1400R17IP4 силовой IGBT-модуль 1700 В 1400 А Infineon
FF1400R17IP4 — промышленный силовой IGBT-модуль производства Infineon Technologies, выполненный по полумостовой схеме. Модуль рассчитан на напряжение коллектор–эмиттер до 1700 В и номинальный постоянный ток коллектора 1400 А. Периодический импульсный ток достигает 2800 А при длительности импульса 1 мс. Компонент предназначен для мощных преобразовательных установок, где требуются высокая плотность тока, устойчивость к короткому замыканию и низкие коммутационные потери.
В FF1400R17IP4 применена технология TRENCHSTOP IGBT4 с диодами Emitter Controlled 4. Типичное напряжение насыщения коллектор–эмиттер составляет 1,75 В при токе 1400 А, напряжении затвор–эмиттер 15 В и температуре перехода 25 °C. Максимально допустимое напряжение затвор–эмиттер равно ±20 В. Внутреннее сопротивление затвора составляет 1,6 Ом, а полный заряд затвора — 13,5 мкКл.
Модуль способен работать при температуре перехода в режиме коммутации от −40 до +150 °C. Тепловое сопротивление переход–корпус составляет 15,5 К/кВт для каждого IGBT и 32,5 К/кВт для каждого обратного диода. Встроенный термистор NTC с номинальным сопротивлением 5 кОм при 25 °C позволяет контролировать температуру основания и организовать защиту силового преобразователя от перегрева.
FF1400R17IP4 выпускается в промышленном корпусе PrimePACK 3 размером 250 × 89 мм с медной опорной пластиной и внутренней керамической изоляцией Al₂O₃. Испытательное напряжение изоляции составляет 4 кВ RMS в течение 1 минуты. Длина пути утечки равна 33 мм, воздушный зазор — 19 мм, показатель стойкости изоляционного материала — CTI более 400. Масса модуля составляет 1200 г.
Область применения
- Промышленные приводы средней мощности и напряжения
- Ветрогенераторы и преобразователи возобновляемой энергетики
- Системы накопления энергии BESS
- Твердотельные автоматические выключатели
- Системы передачи и распределения электроэнергии
- Мощные инверторы и многоуровневые преобразователи
Техническая спецификация
|
Похожие товары
