В корзину
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
- Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C
- Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating
- High Current Capability
- Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.9 V(Typ.) @ IC = 40 A
- High Input Impedance
- Tightened Parameter Distribution
- AEC Qualified and PPAP Capable IGBT: AEC−Q101
- This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant
Описание FGH40N60SMD-F085
Новая серия IGBT Field Stop от ON Semiconductor предлагает оптимальные характеристики для автомобильных зарядных устройств, инверторов и других приложений, где важны низкие потери проводимости и переключения.
Документация
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
|
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 48
1 200 ₽
Варианты цен
1 200 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 39
350 ₽
Варианты цен
350 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
2 500 ₽
Варианты цен
2 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 2
1 000 ₽
Варианты цен
1 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 217
1 300 ₽
Варианты цен
1 300 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
