IRG4PH50UD силовой IGBT-транзистор Infineon Technologies

IRG4PH50UD от Infineon Technologies — силовой n-channel IGBT-транзистор с интегрированным ультрабыстрым антипараллельным диодом HEXFRED™. Компонент относится к классу UltraFast CoPack IGBT и рассчитан на максимальное напряжение коллектор–эмиттер 1200 В. Максимальный непрерывный ток коллектора составляет 45 А при TC = 25 °C и 24 А при TC = 100 °C.

Транзистор IRG4PH50UD оптимизирован для высокочастотной работы до 40 кГц в режимах жесткого переключения и свыше 200 кГц в резонансных схемах. Типовое напряжение насыщения VCE(on) составляет 2,78 В при VGE = 15 В и токе коллектора 24 А. Допустимое напряжение затвор–эмиттер составляет ±20 В.

Встроенный антипараллельный диод выполнен по технологии HEXFRED™ и характеризуется быстрым и мягким обратным восстановлением. Такое сочетание IGBT и диода предназначено для использования в мостовых силовых конфигурациях и позволяет уменьшить требования к внешним демпфирующим цепям. Типовой полный заряд затвора составляет 160 нКл, а максимальный — 250 нКл.

IRG4PH50UD Infineon выпускается в промышленном корпусе TO-247AC. Максимальная рассеиваемая мощность достигает 200 Вт при TC = 25 °C, а рабочий диапазон температуры перехода составляет от -55 до +150 °C. Благодаря сочетанию высокого напряжения, высокой токовой нагрузки и оптимизации для быстрого переключения компонент подходит для мощных преобразовательных и инверторных устройств.

Область применения

• высокочастотные силовые преобразователи;
• инверторные схемы;
• мостовые силовые каскады;
• резонансные преобразователи;
• импульсные источники питания;
• системы управления мощной нагрузкой;
• промышленная силовая электроника.