Микросхема K4B4G1646E-BCNB

K4B4G1646E-BCNB — это высококачественная микросхема оперативной памяти стандарта DDR3, разработанная компанией Samsung для применения в производительных и энергоэффективных электронных устройствах. Чип основан на архитектуре DDR3 SDRAM с емкостью 4 гигабита и организован по структуре 256 мегаслов на шестнадцать бит, что обеспечивает оптимальное соотношение плотности хранения и скорости обработки данных. Благодаря поддержке скоростей до 1600 мегабит в секунду данный чип обеспечивает стабильную и быструю работу в системах, где требуется высокая пропускная способность и минимальная задержка.

Микросхема K4B4G1646E-BCNB отличается низким энергопотреблением за счет применения технологии 1.5 вольта, что позволяет значительно повысить эффективность устройства и снизить тепловую нагрузку. Чип устойчив к длительной эксплуатации в широком температурном диапазоне и соответствует промышленным требованиям по надежности. Благодаря высокой стабильности работы и строгому контролю параметров данный продукт используется в устройствах, где особенно важно обеспечить непрерывную и корректную обработку данных.

Микросхема поддерживает все стандартные режимы DDR3, включая периодическое обновление, автоматическое обновление, режимы чтения и записи с предварительной выборкой, а также функции энергосбережения. Она оптимизирована для систем, в которых требуется непрерывное обращение к данным и высокая интенсивность обмена информацией между вычислительными блоками. Компактный корпус типа FBGA обеспечивает надежное крепление и высокую плотность установки на печатных платах современных устройств.

Область применения

• компьютерные и бытовые устройства
• сетевое оборудование и коммуникационные системы
• встраиваемые электронные решения
• индустриальные контроллеры и автоматизированные системы
• портативная электроника
• видеоустройства и мультимедийные системы