Микросхема K4B4G1646E-BYMA

K4B4G1646E-BYMA — это высокоскоростная интегральная микросхема памяти стандарта DDR3L SDRAM от Samsung Semiconductor. Данный чип обладает плотностью хранения четыре гигабита, что делает его подходящим для применения в компьютерах, сетевом оборудовании, встроенных системах и промышленной электронике. Он разработан для использования в условиях, где требуется высокая пропускная способность, стабильность работы и длительный срок эксплуатации.

Микросхема выполнена в корпусе с девяносто шестью контактами FBGA, оптимизирована для поверхностного монтажа и обладает низким энергопотреблением за счёт работы от напряжения 1.35 вольта. Этот чип поддерживает скорость передачи данных до 1866 мегабит в секунду, что достигается за счёт использования передовой технологии DDR3L и внутреннего управления сигналами. Благодаря малой задержке, высокой скорости обмена и расширенным возможностям программируемых параметров, чип обеспечивает плавную работу приложений, требующих частого доступа к памяти.

Модель K4B4G1646E-BYMA оптимизирована для работы при температуре от 0 до 85 градусов по Цельсию в коммерческих устройствах. Samsung разработала этот чип с учётом строгих стандартов качества, что подтверждает его соответствие требованиям индустрии памяти. Он также совместим с протоколами автоматической самонастройки и синхронизации данных, обеспечивая корректную работу даже при динамических изменениях условий питания и нагрузки.

Область применения

• настольные компьютеры и ноутбуки
• сетевые маршрутизаторы и коммуникационное оборудование
• встраиваемые системы автоматизации
• цифровые мультимедийные устройства
• промышленное оборудование с требованием к стабильной памяти
• системы хранения и обработки данных