IGBT модуль FP75R12KT4BOSA1

IGBT-модуль FP75R12KT4BOSA1 от компании Infineon Technologies представляет собой надёжное решение для силовой электроники, где требуется высокая эффективность, устойчивость к нагрузкам и стабильная работа при больших токах. Устройство создано на базе технологии TrenchStop IGBT4, что обеспечивает низкие потери при переключении и малое сатурационное напряжение V_CE(on), составляющее около 1.85 В при токе 75 А. Такой параметр позволяет снизить тепловыделение и повысить общую энергоэффективность систем.

Модуль рассчитан на работу при максимальном напряжении коллектор-эмиттер 1200 В и номинальном токе 75 А, при этом пиковый ток может достигать 150 А. Благодаря встроенному ультрафаст-диоду уменьшаются обратные потери и улучшается динамика переключения. Рабочий диапазон температур перехода от −40 до +150 °C гарантирует надёжность даже в тяжёлых промышленных условиях.

Конструкция FP75R12KT4BOSA1 выполнена в корпусе EconoPIM с изоляционной пластиной и возможностью крепления на винтах. Это упрощает монтаж в силовые схемы и обеспечивает электрическую изоляцию до 2500 В AC. Модуль полностью соответствует директивам RoHS и может использоваться в экологически безопасных системах.

Благодаря высокой надёжности, компактности и оптимальным электрическим параметрам данный модуль широко применяется в промышленной автоматике, энергетике и системах электропривода. Он подходит для трёхфазных инверторов, преобразователей постоянного и переменного тока, источников бесперебойного питания, а также для применения в возобновляемой энергетике, включая солнечные и ветровые установки.

Области применения

• Трёхфазные инверторы для промышленности и энергетики
• Системы управления электродвигателями и частотные преобразователи
• Солнечные и ветровые энергетические установки
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Активные фильтры и системы рекуперации энергии
• Силовое оборудование в автоматизации и машиностроении