- Производитель: Infineon Technologies
- Модель: BSM50GX120DN2BOSA1
- Базовое обозначение: BSM50GX120DN2
- Дополнительный номер: SP000100372
- Тип: интегрированный силовой PIM-модуль
- Конфигурация: трёхфазный диодный выпрямитель, тормозной IGBT-каскад, трёхфазный IGBT-инвертор
- Количество IGBT инвертора: 6
- Тормозной IGBT: 1
- Обратные диоды: встроены в инверторный и тормозной каскады
- Датчик температуры: встроенный NTC-термистор
- Максимальное напряжение коллектор–эмиттер IGBT: 1200 В
- Постоянный ток коллектора: 50 А при температуре корпуса +80 °C
- Допустимое напряжение затвор–эмиттер: ±20 В
- Типичное напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2,2 В при IC = 50 А, VGE = 15 В и температуре кристалла +25 °C
- Максимальное напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2,6 В при IC = 50 А, VGE = 15 В и температуре кристалла +25 °C
- Повторяющееся пиковое обратное напряжение выпрямительных диодов: 1600 В
- Тип силового преобразования: AC–DC–AC
- Максимальное тепловое сопротивление переход–корпус IGBT инвертора: 0,35 К/Вт
- Испытательное напряжение изоляции: 2500 В AC, 50 Гц, в течение 1 минуты
- Способ монтажа: винтовое крепление на радиатор
- Момент затяжки крепления: 3–6 Н·м
Описание BSM50GX120DN2BOSA1 силовой PIM-модуль Infineon Technologies
BSM50GX120DN2BOSA1 производства Infineon Technologies — интегрированный силовой PIM-модуль с базовым обозначением BSM50GX120DN2. Устройство объединяет в одном изолированном корпусе трёхфазный диодный выпрямитель, тормозной IGBT-каскад, трёхфазный инвертор на шести IGBT-транзисторах, обратные диоды и встроенный NTC-термистор для контроля температуры.
IGBT-транзисторы инвертора и тормозного каскада рассчитаны на максимальное напряжение коллектор–эмиттер 1200 В. Постоянный ток коллектора составляет 50 А при температуре корпуса +80 °C. Допустимое напряжение затвор–эмиттер — ±20 В. Типичное напряжение насыщения коллектор–эмиттер при токе 50 А, напряжении затвора 15 В и температуре кристалла +25 °C составляет около 2,2 В.
Входной трёхфазный выпрямитель рассчитан на повторяющееся пиковое обратное напряжение 1600 В. Инверторные IGBT снабжены быстрыми обратными диодами, а тормозной ключ дополнен отдельным диодом. Такая конфигурация позволяет реализовать полный силовой тракт преобразования AC–DC–AC и подключение внешнего тормозного резистора без применения отдельных силовых модулей. Встроенный датчик температуры предназначен для контроля теплового режима внутри корпуса.
Между силовой схемой и основанием предусмотрена внутренняя электрическая изоляция. Испытательное напряжение изоляции составляет 2500 В AC при частоте 50 Гц в течение 1 минуты. Максимальное тепловое сопротивление переход–корпус для IGBT инвертора составляет 0,35 К/Вт. Модуль рассчитан на монтаж непосредственно на радиатор и подключение к силовой части промышленного преобразователя. Суффикс BOSA1 является расширением orderable part number и не изменяет электрические параметры базовой модели BSM50GX120DN2.
Область применения
- трёхфазные преобразователи частоты;
- системы управления промышленными электродвигателями;
- серводвигатели и регулируемые электроприводы;
- источники бесперебойного питания;
- преобразователи с тормозным резистором.
Документация
Техническая спецификация
|

