- Производитель: StarPower Semiconductor
- Модель: GD650HFX170P1S
- Тип: силовой IGBT-модуль
- Конфигурация: полумост, два IGBT-транзистора с обратными диодами
- Технология IGBT: Trench
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 1700 В
- Ток коллектора IC: 650 А при температуре корпуса 100 °C; 1073 А при 25 °C
- Импульсный ток коллектора ICM: 1300 А, импульс 1 мс
- Предельное напряжение затвор-эмиттер VGES: ±20 В
- Напряжение насыщения VCE(sat): 1,90 В тип., 2,35 В макс. при IC = 650 А и Tj = 25 °C
- Пороговое напряжение затвора VGE(th): 5,6-6,8 В
- Внутреннее сопротивление затвора: 2,3 Ом
- Заряд затвора QG: 5,66 мкКл
- Повторяющееся обратное напряжение диодов VRRM: 1700 В
- Постоянный прямой ток диодов IF: 650 А
- Импульсный прямой ток диодов IFM: 1300 А, импульс 1 мс
- Прямое напряжение диодов VF: 1,85 В тип., 2,30 В макс. при IF = 650 А и Tj = 25 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 35,8 К/кВт на IGBT; 71,3 К/кВт на диод
- Индуктивность модуля: 18 нГн
- Встроенный датчик температуры: NTC-термистор, 5 кОм при 25 °C
- Рабочая температура перехода: -40...+150 °C
- Предельная температура перехода: +175 °C
- Температура хранения: -40...+150 °C
- Испытательное напряжение изоляции: 4000 В RMS, 50 Гц, 1 минута
- Основание: изолированное медное, технология DBC
- Масса модуля: 810 г
Описание GD650HFX170P1S силовой IGBT-модуль 1700В 650А StarPower
GD650HFX170P1S - силовой IGBT-модуль производства StarPower Semiconductor. В одном корпусе размещены два IGBT-транзистора с обратными диодами, соединённые по схеме полумоста. Модуль рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер до 1700 В и ток коллектора 650 А при температуре корпуса 100 °C.
GD650HFX170P1S предназначен для силовых преобразователей большой мощности, оборудования ветровой и солнечной энергетики, а также тяговых приводов. Полумостовая схема позволяет использовать модуль как силовой узел инвертора или другого преобразователя. При подборе замены необходимо сверить не только напряжение и ток, но и схему выводов, размеры корпуса, охлаждение и параметры управления затвором.
В модуле применены IGBT-транзисторы с технологией Trench и обратные диоды, рассчитанные в том числе на режимы рекуперации. Типичное напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет 1,90 В при токе 650 А и температуре перехода 25 °C. Допустимый импульсный ток коллектора - 1300 А при длительности импульса 1 мс.
Изолированное медное основание с технологией DBC служит для отвода тепла на радиатор. Модуль оснащён встроенным NTC-термистором для контроля температуры. Испытательное напряжение изоляции составляет 4000 В RMS в течение одной минуты. Рабочий диапазон температуры полупроводникового перехода - от -40 до +150 °C.
Область применения
- Промышленные преобразователи большой мощности
- Инверторы для ветровых и солнечных энергоустановок
- Тяговые электроприводы
- Силовые узлы с рекуперацией энергии
Техническая спецификация
|
Похожие товары
