В корзину
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
- VCES = 1200V
- IC nom = 150A / ICRM = 300A
- Collector Emitter Saturation Voltage 1.75 V
- Element Configuration Dual
- Max Operating Temperature 150 °C
- Min Operating Temperature -40 °C
- Package Quantity 10
- Power Dissipation 790 W
Описание FF150R12RT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
- Приложение для высокочастотного переключения
- Моторные приводы
- Системы ИБП
- Расширенная рабочая температура Tvjop
- Низкие потери при переключении
- Низкий VCEsat
- Tvjop=150°C
- VCEsat с положительным температурным коэффициентом
Документация
Техническая спецификация
| Infineon Technologies |
|
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Есть в наличии: 5
6 000 ₽
Варианты цен
6 000 ₽
Есть в наличии: 69
13 800 ₽
Варианты цен
13 800 ₽
Есть в наличии: 49
5 100 ₽
Варианты цен
5 100 ₽
Есть в наличии: 1
6 336 ₽
Варианты цен
6 336 ₽
Есть в наличии: 5
12 500 ₽
Варианты цен
12 500 ₽
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Под заказ 3-4 недели
21 000 ₽
Варианты цен
21 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
13 500 ₽
Варианты цен
13 500 ₽
Есть в наличии: 6
17 000 ₽
Варианты цен
17 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Есть в наличии: 4
3 420 ₽
Варианты цен
3 420 ₽
Есть в наличии: 4
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
17 300 ₽
Варианты цен
17 300 ₽
Есть в наличии: 5
6 750 ₽
Варианты цен
6 750 ₽
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
25 000 ₽
Варианты цен
25 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
11 880 ₽
Варианты цен
11 880 ₽
Есть в наличии: 1
12 500 ₽
Варианты цен
12 500 ₽
Под заказ 3-4 недели
18 700 ₽
Варианты цен
18 700 ₽
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽

