В корзину
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
- VCES = 1200V
- IC nom = 150A / ICRM = 300A
- Collector Emitter Saturation Voltage 1.75 V
- Element Configuration Dual
- Max Operating Temperature 150 °C
- Min Operating Temperature -40 °C
- Package Quantity 10
- Power Dissipation 790 W
Описание FF150R12RT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
- Приложение для высокочастотного переключения
- Моторные приводы
- Системы ИБП
- Расширенная рабочая температура Tvjop
- Низкие потери при переключении
- Низкий VCEsat
- Tvjop=150°C
- VCEsat с положительным температурным коэффициентом
Документация
Техническая спецификация
| Infineon Technologies |
|
Видео
Похожие товары
Есть в наличии: 2
4 500 ₽
Варианты цен
4 500 ₽
Есть в наличии: 28
6 900 ₽
Варианты цен
6 900 ₽
Есть в наличии: 6
8 000 ₽
Варианты цен
8 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
5 100 ₽
Варианты цен
5 100 ₽
Есть в наличии: 2
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Есть в наличии: 4
9 400 ₽
Варианты цен
9 400 ₽
Есть в наличии: 1
6 336 ₽
Варианты цен
6 336 ₽
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Есть в наличии: 24
11 000 ₽
Варианты цен
11 000 ₽
Есть в наличии: 4
16 500 ₽
Варианты цен
16 500 ₽
Есть в наличии: 12
9 800 ₽
Варианты цен
9 800 ₽
Есть в наличии: 4
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Есть в наличии: 3
5 500 ₽
Варианты цен
5 500 ₽
Есть в наличии: 9
24 431 ₽
Варианты цен
24 431 ₽
Есть в наличии: 1
5 000 ₽
Варианты цен
5 000 ₽
Есть в наличии: 2
16 000 ₽
Варианты цен
16 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Есть в наличии: 1
5 000 ₽
Варианты цен
5 000 ₽
Есть в наличии: 14
10 000 ₽
Варианты цен
10 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
25 000 ₽
Варианты цен
25 000 ₽

