В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Advanced Power Technology
Техническая спецификация
—
- Low Conduction Loss
- 50 kHz operation @ 800V, 20A
- Low Gate Charge
- 20 kHz operation @ 800V, 44A
- Ultrafast Tail Current shutoff
- RBSOA Rated
Описание APT75GT120JRDQ3
POWER MOS 7® IGBT — это новое поколение силовых высоковольтных транзисторов IGBT. Используя технологию Punch Through, этот IGBT идеально подходит для многих высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений и был оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания.
Документация
Наличие
Техническая спецификация
Advanced Power Technology |
|
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Есть в наличии: 20
11 000 ₽
Варианты цен
11 000 ₽
Есть в наличии: 1
67 400 ₽
Варианты цен
67 400 ₽
Есть в наличии: 22
5 000 ₽
Варианты цен
5 000 ₽
Есть в наличии: 62
3 850 ₽
Варианты цен
3 850 ₽
Есть в наличии: 1
20 000 ₽
Варианты цен
20 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
13 000 ₽
Варианты цен
13 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
6 150 ₽
Варианты цен
6 150 ₽
Под заказ 3-4 недели
18 700 ₽
Варианты цен
18 700 ₽
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽
Есть в наличии: 2
20 600 ₽
Варианты цен
20 600 ₽
Есть в наличии: 2
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Есть в наличии: 2
10 000 ₽
Варианты цен
10 000 ₽
Под заказ 3-4 недели
5 539 ₽
Варианты цен
5 539 ₽
Под заказ 3-4 недели
5 490 ₽
Варианты цен
5 490 ₽
Есть в наличии: 10
26 700 ₽
Варианты цен
26 700 ₽
Под заказ 3-4 недели
77 800 ₽
Варианты цен
77 800 ₽
Есть в наличии: 19
3 544 ₽
Варианты цен
3 544 ₽
Под заказ 3-4 недели
64 100 ₽
Варианты цен
64 100 ₽
Под заказ 3-4 недели
83 940 ₽
Варианты цен
83 940 ₽
Есть в наличии: 1
37 000 ₽
Варианты цен
37 000 ₽