В корзину
Техническая спецификация
Производитель
—
Advanced Power Technology
Техническая спецификация
—
- Low Conduction Loss
- 50 kHz operation @ 800V, 20A
- Low Gate Charge
- 20 kHz operation @ 800V, 44A
- Ultrafast Tail Current shutoff
- RBSOA Rated
Описание APT75GT120JRDQ3
POWER MOS 7® IGBT — это новое поколение силовых высоковольтных транзисторов IGBT. Используя технологию Punch Through, этот IGBT идеально подходит для многих высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений и был оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания.
Документация
Техническая спецификация
| Advanced Power Technology |
|
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
6 000 ₽
Варианты цен
6 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 69
13 800 ₽
Варианты цен
13 800 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 49
5 100 ₽
Варианты цен
5 100 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
12 500 ₽
Варианты цен
12 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
6 336 ₽
Варианты цен
6 336 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 6
17 000 ₽
Варианты цен
17 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
21 000 ₽
Варианты цен
21 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
15 000 ₽
Варианты цен
15 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
13 500 ₽
Варианты цен
13 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
3 420 ₽
Варианты цен
3 420 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
17 300 ₽
Варианты цен
17 300 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
6 750 ₽
Варианты цен
6 750 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
25 000 ₽
Варианты цен
25 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
11 880 ₽
Варианты цен
11 880 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
18 700 ₽
Варианты цен
18 700 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
6 150 ₽
Варианты цен
6 150 ₽
