SKIIP11NAB063T1, 7IGBT+мост 600В 17А

Semikron

Макс.напр.к-э,В: 600, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1, Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 17, Структура модуля: 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост, Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль, Максимальная частота модуляции,кГц: -, Входная емкость затвора,нФ: -, Мощность привода, кВт: -, Драйвер управления: встроенный, Защита по току: -, Защита от короткого замыкания: -, Защита от перегрева: есть, Защита от пониженного напряжения питания: -, Максимальная рассеиваимая мощность,Вт: -, Максимальный ток эмиттера, А: -, Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В: -, Напряжение эмиттер-коллектор,В: 1.6, Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс: 40, Напряжение изоляции, В: 2500, Температурный диапазон,С: -40...150