FF650R17IE4D_B2 IGBT-модуль 1700В 650А Infineon

FF650R17IE4D_B2 - силовой IGBT-модуль Infineon в конфигурации полумоста. Он объединяет два IGBT-ключа с обратными диодами и предназначен для работы в промышленных преобразователях и тяговых системах. Модуль рассчитан на напряжение коллектор–эмиттер до 1700 В и номинальный ток коллектора 650 А при температуре корпуса 100 °C.

При температуре перехода 25 °C типичное напряжение насыщения коллектор–эмиттер составляет 2,00 В, а типичное прямое напряжение диода - 1,70 В. Повторяющийся пиковый ток коллектора достигает 1300 А при длительности импульса 1 мс. Предельная рассеиваемая мощность модуля - 4,15 кВт при температуре корпуса 25 °C.

Модуль выполнен на технологии IGBT4 - E4 и включает диод увеличенной площади, NTC-термистор для контроля температуры и медное основание для отвода тепла. Допустимое пиковое напряжение затвор–эмиттер составляет ±20 В. Рабочая температура перехода при коммутации - от −40 до +150 °C, максимальная температура перехода - +175 °C.

FF650R17IE4D_B2 изготовлен в корпусе PrimePACK 2. Габариты корпуса - 172 × 89 мм. Модуль предназначен для промышленного и тягового применения, включая преобразователи электроприводов, энергетические установки и системы управления двигателями.

Область применения

• Промышленные преобразователи и инверторы
• Тяговые электроприводы
• Системы управления электродвигателями
• Преобразователи для ветроэнергетики
• Оборудование передачи и распределения электроэнергии