IGBT МОДУЛЬ CM75RX-24S

Наличие

18 000 ₽/шт

Варианты цен

18 000 ₽/шт

Подробности

Есть в наличии: 2

В корзину

Купить в 1 клик

Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.

Техническая спецификация

—

Производитель: Mitsubishi

Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 200
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1500
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 175
Тип корпуса: MODULE
Вес: 370 г

Описание IGBT МОДУЛЬ CM75RX-24S

IGBT модуль CM75RX-24S предназначен для использования в промышленных и коммерческих системах электропитания, управления двигателями и других приложениях, требующих высокой мощности и эффективности. Он основан на технологии Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT), которая обеспечивает быстрое переключение, малые потери и высокую производительность.

CM75RX-24S может использоваться в источниках бесперебойного питания, частотно-регулируемых приводах, сварочных аппаратах, а также в различных системах автоматизации и управления. Он способен коммутировать токи до 75 ампер и выдерживать напряжение до 1200 вольт, что делает его идеальным для применения в промышленных условиях.

Особенности CM75RX-24S включают высокую мощность коммутации, низкие потери, рабочую температуру до 175 градусов Цельсия, встроенные диоды с быстрым восстановлением и изоляцию между управлением и силовыми клеммами. Этот модуль обеспечивает надежную и эффективную работу в широком диапазоне применений.