Хит
Наличие
В корзину
Техническая спецификация
Техническая спецификация
—
Производитель: SEMIKRON
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
IGBT-транзистор:
VCES - напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером: 1200 В
IC - ток коллектора, Tc = 25 (80)°C: 300 (210) А
ICRM - повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс: 400 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером: ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения), Tрабочая Tstg: - 40 ... + 150 (125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции, переменное напряжение, 1 минута: 4000 В
Обратный диод:
IF - прямой ток, Tc = 25 (80) °C: 260 (180) A
IFRM - максимальный повторяющийся прямой ток, tимп = 1 мс: 400 A
IFSM - прямой ток перегрузки, tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C: 2200 A
Отличительные особенности:
Ширина: 61.4 mm
Высота: 30.5 mm
Вес: 325g
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
IGBT-транзистор:
VCES - напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером: 1200 В
IC - ток коллектора, Tc = 25 (80)°C: 300 (210) А
ICRM - повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс: 400 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером: ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения), Tрабочая Tstg: - 40 ... + 150 (125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции, переменное напряжение, 1 минута: 4000 В
Обратный диод:
IF - прямой ток, Tc = 25 (80) °C: 260 (180) A
IFRM - максимальный повторяющийся прямой ток, tимп = 1 мс: 400 A
IFSM - прямой ток перегрузки, tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C: 2200 A
Отличительные особенности:
- МОП-вход (управляемый напряжением)
- N-канальная гомогенная кремниевая структура
- Корпус с малой индуктивностью
- Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
- Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic
- Исключено защелкивание
- Быстродействующие инверсные CAL-диоды с плавным восстановлением
- Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
- Большой зазор (12 мм) и путь утечки (20 мм)
- Импульсные источники питания с fпреобр. > 20 кГц
- Резонансные инверторы до 100 кГц
- Оборудование индукционного нагрева
- Электронные сварочные аппараты с fпреобр > 20 кГц
Ширина: 61.4 mm
Высота: 30.5 mm
Вес: 325g
Описание IGBT модуль SKM300GB125D
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль SKM300GB125D - это полупроводниковое устройство, которое объединяет высокое включение и выключение мощности с высокой степенью интеграции. Этот модуль разработан для использования в различных приложениях, требующих высокой мощности и эффективности, таких как промышленные преобразователи, электроприводы, солнечные и ветряные электростанции и другие системы электропитания.
SKM300GB125D обладает высокой надежностью и долговечностью, а также обеспечивает эффективное управление энергией и минимальные потери мощности. Этот модуль является незаменимым компонентом в современных электронных системах, где требуется управление высокой мощностью.
SKM300GB125D обладает высокой надежностью и долговечностью, а также обеспечивает эффективное управление энергией и минимальные потери мощности. Этот модуль является незаменимым компонентом в современных электронных системах, где требуется управление высокой мощностью.
Документация
Галерея
1/3
—
Техническая спецификация
|
Производитель: SEMIKRON Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) IGBT-транзистор: VCES - напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером: 1200 В IC - ток коллектора, Tc = 25 (80)°C: 300 (210) А ICRM - повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс: 400 А VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером: ± 20 В Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения), Tрабочая Tstg: - 40 ... + 150 (125) °C VISOL напряжение испытания изоляции, переменное напряжение, 1 минута: 4000 В Обратный диод: IF - прямой ток, Tc = 25 (80) °C: 260 (180) A IFRM - максимальный повторяющийся прямой ток, tимп = 1 мс: 400 A IFSM - прямой ток перегрузки, tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C: 2200 A Отличительные особенности:
Ширина: 61.4 mm Высота: 30.5 mm Вес: 325g |
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Не указан авторизационный ключ. Укажите корректный ключ в модуле решения
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 6
5 400 ₽
Варианты цен
5 400 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 71
7 800 ₽
Варианты цен
7 800 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 51
1 100 ₽
Варианты цен
1 100 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
21 000 ₽
Варианты цен
21 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
72 400 ₽
Варианты цен
72 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
13 500 ₽
Варианты цен
13 500 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
5 700 ₽
Варианты цен
5 700 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
3 420 ₽
Варианты цен
3 420 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
15 570 ₽
Варианты цен
15 570 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 5
6 750 ₽
Варианты цен
6 750 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 4
13 500 ₽
Варианты цен
13 500 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
3 000 ₽
Варианты цен
3 000 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
25 000 ₽
Варианты цен
25 000 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 1
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 2
11 880 ₽
Варианты цен
11 880 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 3
11 250 ₽
Варианты цен
11 250 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
18 700 ₽
Варианты цен
18 700 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 6
15 300 ₽
Варианты цен
15 300 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
15 400 ₽
Варианты цен
15 400 ₽
