FGL60N100BNTD силовой IGBT-транзистор Fairchild Semiconductor

FGL60N100BNTD от Fairchild Semiconductor — высоковольтный силовой IGBT-транзистор, выполненный по технологии NPT Trench IGBT и предназначенный для высокомощных схем с жёстким переключением. Транзистор рассчитан на напряжение коллектор–эмиттер 1000 В и непрерывный ток коллектора до 60 А при TC = 25 °C. При температуре корпуса 100 °C допустимый непрерывный ток составляет 42 А.

Модель FGL60N100BNTD сочетает траншейную структуру и технологию NPT — Non-Punch-Through, обеспечивающие высокую скорость переключения, низкое напряжение насыщения и высокое входное сопротивление. Типовое напряжение насыщения VCE(sat) составляет 2,5 В при IC = 60 А и VGE = 15 В, максимальное значение при этих условиях — 2,9 В. Пороговое напряжение затвор–эмиттер находится в диапазоне 4–7 В.

FGL60N100BNTD оснащён встроенным Fast Recovery Diode, благодаря чему транзистор подходит для силовых преобразовательных каскадов, работающих с индуктивной нагрузкой. Максимальный импульсный ток коллектора составляет 200 А, а допустимое напряжение затвор–эмиттер — ±25 В. Максимальная рассеиваемая мощность достигает 180 Вт при TC = 25 °C.

Транзистор выполнен в выводном корпусе TO-264 3L с выводами Gate, Collector, Emitter. Диапазон рабочей температуры перехода составляет от −55 до +150 °C. Производитель специально указывает FGL60N100BNTD для высокомощных приложений с жёстким переключением, где важны высокая лавинная стойкость, возможность параллельной работы и эффективная коммутация значительных токов.

Область применения

• источники бесперебойного питания UPS;
• сварочное оборудование;
• силовые преобразователи с жёстким переключением;
• промышленная силовая электроника;
• высоковольтные инверторные каскады.