IRFP260N силовой MOSFET-транзистор Infineon Technologies

IRFP260N от Infineon Technologies — силовой N-канальный MOSFET семейства HEXFET® Power MOSFET, предназначенный для работы в мощных импульсных и преобразовательных схемах. Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток–исток 200 В и непрерывный ток стока до 50 А при TC = 25 °C. Максимальное сопротивление открытого канала RDS(on) составляет 0,04 Ом при VGS = 10 В и ID = 28 А.

IRFP260N выполнен в силовом корпусе TO-247, предназначенном для монтажа через отверстия и эксплуатации при повышенных уровнях мощности. Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 300 Вт при температуре корпуса 25 °C. Допустимое напряжение затвор–исток составляет ±20 В, а диапазон порогового напряжения затвора VGS(th) — от 2 до 4 В.

Конструкция HEXFET® обеспечивает низкое сопротивление открытого канала, высокую нагрузочную способность и быстрое переключение. Для IRFP260N производитель также указывает полную лавинную стойкость, допустимый пиковый ток стока 200 А и энергию одиночного лавинного импульса 560 мДж. Типовой полный заряд затвора составляет 234 нКл.

Рабочая температура перехода достигает +175 °C, а диапазон хранения составляет от -55 до +175 °C. Благодаря сочетанию параметров 200 В / 50 А, низкого RDS(on), корпуса TO-247 и высокой импульсной стойкости IRFP260N Infineon подходит для силовой электроники, где требуется управление значительными токами и надежное переключение нагрузки.

Область применения

• импульсные источники питания;
• DC/DC-преобразователи;
• инверторные устройства;
• системы управления электродвигателями;
• силовые ключи и коммутаторы нагрузки;
• промышленная силовая электроника;
• светотехническое оборудование;
• оборудование с аккумуляторным питанием.