K4B4G1646E-BYMA000 память DDR3L SDRAM Samsung

K4B4G1646E-BYMA000 от Samsung Electronics — синхронная динамическая память DDR3L SDRAM семейства K4B4G1646E с общей емкостью 4 Гбит. Микросхема выполнена на кристалле поколения E-die и имеет организацию памяти 256M × 16 бит. Внутренняя архитектура построена как 32M × 16 I/O × 8 банков, что обеспечивает высокоскоростной параллельный обмен данными с контроллером памяти.

Модель K4B4G1646E-BYMA000 относится к низковольтной памяти DDR3L и рассчитана на номинальное напряжение питания 1,35 В. Исполнение BYMA соответствует классу производительности DDR3-1866 с эффективной скоростью передачи данных до 1866 Мбит/с на вывод. Благодаря технологии Double Data Rate данные передаются по фронту и спаду тактового сигнала.

Микросхема поддерживает стандартную для DDR3 архитектуру с 8n-prefetch, восемью внутренними банками и программируемыми режимами работы. Предусмотрены функции Auto Precharge, Self Refresh, Auto Self Refresh, Dynamic On-Die Termination, ZQ Calibration и асинхронный вход сброса RESET#. Интерфейс данных имеет разрядность 16 бит.

Samsung K4B4G1646E-BYMA000 выполнена в компактном корпусе 96-ball FBGA, предназначенном для поверхностного монтажа. Микросхема рассчитана на применение в электронных системах, использующих стандартный интерфейс DDR3L SDRAM и требующих сочетания емкости 4 Гбит, ширины шины x16, пониженного напряжения питания и высокой пропускной способности.

Область применения

• электронные системы с интерфейсом DDR3L SDRAM;
• встраиваемые вычислительные системы;
• контроллеры и процессорные платы с поддержкой памяти DDR3L x16;
• оборудование, требующее энергозависимой оперативной памяти емкостью 4 Гбит;
• системы, рассчитанные на скорость передачи данных DDR3-1866.