Софт Логистик
Интернет-магазин электронных компонентов
Каталог
IGBT модули
Транзисторы биполярные (IGBTs)
Диодно-тиристорные модули
Средства разработки и прототипирования
Промышленное оборудование
Драйверы для IGBT модулей
Микросхемы
Транзисторы полевые
В наличии
Серверное оборудование
Товары в наличии
IGBT модуль CM300DY-12NF
FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
IGBT модуль IRAM136-3063B
IGBT модуль CM600DY-24A
CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
IGBT модуль CM200DY-12NF
IGBT модуль SKM300GB125D
Модуль SKKT570/18E
Транзистор FGL40N120AND
IGBT модуль MCC501-16IO2
Как купить
Компания
Контакты
+7 (499) 325-63-03
+7 (499) 325-63-03
+7 (995) 301-28-09
Заказать звонок
Задать вопрос
Войти
  • Корзина0
  • Отложенные0
  • Сравнение товаров0
zakaz@soft-logistic.ru
г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
  • Telegram
  • telegram
  • Viber
Софт Логистик
+7 (499) 325-63-03
+7 (995) 301-28-09
E-mail
zakaz@soft-logistic.ru
г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
Товары в наличии
Как купить
О компании
Контакты
+  ЕЩЕ
    Войти
    Сравнение0
    Отложенные 0
    Корзина 0
    Каталог
    • IGBT модули
      IGBT модули
    • Транзисторы биполярные (IGBTs)
      Транзисторы биполярные (IGBTs)
    • Диодно-тиристорные модули
      Диодно-тиристорные модули
    • Средства разработки и прототипирования
      Средства разработки и прототипирования
    • Промышленное оборудование
      Промышленное оборудование
    • Драйверы для IGBT модулей
      Драйверы для IGBT модулей
    • Микросхемы
      Микросхемы
    • Транзисторы полевые
      Транзисторы полевые
    • Серверное оборудование
      Серверное оборудование
    Софт Логистик
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    Сравнение0 Отложенные 0 Корзина 0
    Софт Логистик
    Сравнение0 Отложенные 0 Корзина 0
    Телефоны
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    • Каталог
      • Назад
      • Каталог
      • IGBT модули
      • Транзисторы биполярные (IGBTs)
      • Диодно-тиристорные модули
      • Средства разработки и прототипирования
      • Промышленное оборудование
      • Драйверы для IGBT модулей
      • Микросхемы
      • Транзисторы полевые
      • В наличии
      • Серверное оборудование
    • Товары в наличии
      • Назад
      • Товары в наличии
      • IGBT модуль CM300DY-12NF
      • FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
      • IGBT модуль IRAM136-3063B
      • IGBT модуль CM600DY-24A
      • CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
      • IGBT модуль CM200DY-12NF
      • IGBT модуль SKM300GB125D
      • Модуль SKKT570/18E
      • Транзистор FGL40N120AND
      • IGBT модуль MCC501-16IO2
    • Как купить
    • Компания
    • Контакты
    • Личный кабинет
    • Корзина0
    • Отложенные0
    • Сравнение товаров0
    • +7 (499) 325-63-03
      • Назад
      • Телефоны
      • +7 (499) 325-63-03
      • +7 (995) 301-28-09
    Контактная информация
    г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
    zakaz@soft-logistic.ru
    • Telegram
    • telegram
    • Viber

    6MBI100VB-120-50 силовой IGBT-модуль 1200 В 100 А Fuji Electric

    Главная
    —
    Каталог
    —
    В наличии
    —6MBI100VB-120-50 силовой IGBT-модуль 1200 В 100 А Fuji Electric
    Наличие
    6MBI100VB-120-50 силовой IGBT-модуль 1200 В 100 А Fuji Electric
    Артикул: 6MBI100VB-120-50
    17 000 ₽/шт
    Варианты цен
    17 000 ₽/шт
    Подробности
    Есть в наличии: 3
    В корзинуВ корзине
    Купить в 1 клик
    Техническая спецификация
    Техническая спецификация
    —
    • Производитель: Fuji Electric
    • Модель: 6MBI100VB-120-50
    • Тип компонента: силовой IGBT-модуль
    • Серия: V Series, 6-е поколение
    • Конфигурация: 6-Pack, 6 в 1
    • Электрическая схема: трехфазный инверторный мост
    • Количество IGBT-транзисторов: 6
    • Обратные диоды: 6 встроенных FWD
    • Напряжение коллектор–эмиттер VCES: 1200 В
    • Номинальный ток коллектора IC: 100 А
    • Импульсный ток коллектора IC pulse: 200 А при длительности 1 мс
    • Максимальное напряжение затвор–эмиттер VGES: ±20 В
    • Рассеиваемая мощность: 520 Вт на один IGBT
    • Напряжение насыщения VCE(sat) на выводах: 2,30 В тип., 2,75 В макс. при 25 °C
    • Напряжение насыщения VCE(sat) кристалла: 1,75 В тип., 2,20 В макс. при 25 °C
    • Пороговое напряжение затвора: 6,0–7,0 В
    • Время включения: 0,39 мкс тип., 1,20 мкс макс.
    • Время нарастания: 0,09 мкс тип., 0,60 мкс макс.
    • Время выключения: 0,53 мкс тип., 1,00 мкс макс.
    • Время спада: 0,06 мкс тип., 0,30 мкс макс.
    • Прямое напряжение обратного диода на выводах: 2,25 В тип., 2,70 В макс. при 25 °C
    • Прямое напряжение обратного диода на кристалле: 1,70 В тип., 2,15 В макс. при 25 °C
    • Время обратного восстановления диода: до 0,35 мкс
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, IGBT: 0,29 °C/Вт
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, диод: 0,44 °C/Вт
    • Контактное тепловое сопротивление: 0,05 °C/Вт тип. с термопастой
    • Встроенный датчик температуры: NTC-термистор
    • Сопротивление термистора: 5 кОм при 25 °C
    • Сопротивление термистора при 100 °C: 495 Ом тип.
    • Постоянная B термистора: 3375 К тип.
    • Максимальная температура перехода: +175 °C
    • Максимальная рабочая температура перехода: +150 °C
    • Максимальная температура корпуса: +125 °C
    • Температура хранения: −40…+125 °C
    • Напряжение изоляции: 2500 В AC, 1 минута
    • Корпус: EconoPACK, M633
    • Тип выводов: выводы под пайку
    • Тип монтажа: печатная плата и винтовое крепление к радиатору
    • Размеры основания: 122 × 62 мм
    • Масса: 300 г
    • Соответствие требованиям: RoHS
    • Статус изделия: выпускается серийно

    Описание 6MBI100VB-120-50 силовой IGBT-модуль 1200 В 100 А Fuji Electric

    6MBI100VB-120-50 — силовой IGBT-модуль производства Fuji Electric, содержащий полноценный трехфазный инверторный мост. Компонент выполнен в конфигурации 6-Pack и объединяет 6 IGBT-транзисторов со встроенными обратными диодами. Модуль относится к 6-му поколению V Series, рассчитан на напряжение коллектор–эмиттер до 1200 В и номинальный ток коллектора 100 А. Импульсный ток продолжительностью 1 мс достигает 200 А.

    6MBI100VB-120-50 разработан для компактного монтажа силового преобразователя непосредственно на печатную плату. Типичное напряжение насыщения на силовых выводах составляет 2,30 В при токе 100 А, напряжении затвор–эмиттер 15 В и температуре перехода 25 °C. Для кристалла типичное значение равно 1,75 В. Максимально допустимое напряжение затвор–эмиттер составляет ±20 В, а пороговое напряжение управления находится в диапазоне от 6,0 до 7,0 В.

    Типичное время включения составляет 0,39 мкс, время выключения — 0,53 мкс, а время спада тока — 0,06 мкс. Максимальная рассеиваемая мощность каждого силового ключа достигает 520 Вт. Тепловое сопротивление переход–корпус составляет 0,29 °C/Вт для каждого IGBT и 0,44 °C/Вт для обратного диода. Встроенный термистор имеет сопротивление 5 кОм при температуре 25 °C.

    Модуль выпускается в компактном корпусе EconoPACK M633 с выводами под пайку. Размер основания составляет 122 × 62 мм, масса — 300 г. Максимальная температура перехода равна +175 °C, допустимая температура перехода при коммутации — до +150 °C, температура хранения — от −40 до +125 °C. Электрическая прочность изоляции составляет 2500 В AC в течение 1 минуты. Исполнение с суффиксом −50 соответствует требованиям RoHS.

    Область применения

    • Трехфазные промышленные преобразователи частоты
    • Инверторы управления асинхронными и синхронными двигателями
    • Сервоприводы станков и промышленного оборудования
    • Источники бесперебойного питания
    • Сварочные установки и силовые преобразователи
    • Системы промышленной автоматизации

    Техническая спецификация

    • Производитель: Fuji Electric
    • Модель: 6MBI100VB-120-50
    • Тип компонента: силовой IGBT-модуль
    • Серия: V Series, 6-е поколение
    • Конфигурация: 6-Pack, 6 в 1
    • Электрическая схема: трехфазный инверторный мост
    • Количество IGBT-транзисторов: 6
    • Обратные диоды: 6 встроенных FWD
    • Напряжение коллектор–эмиттер VCES: 1200 В
    • Номинальный ток коллектора IC: 100 А
    • Импульсный ток коллектора IC pulse: 200 А при длительности 1 мс
    • Максимальное напряжение затвор–эмиттер VGES: ±20 В
    • Рассеиваемая мощность: 520 Вт на один IGBT
    • Напряжение насыщения VCE(sat) на выводах: 2,30 В тип., 2,75 В макс. при 25 °C
    • Напряжение насыщения VCE(sat) кристалла: 1,75 В тип., 2,20 В макс. при 25 °C
    • Пороговое напряжение затвора: 6,0–7,0 В
    • Время включения: 0,39 мкс тип., 1,20 мкс макс.
    • Время нарастания: 0,09 мкс тип., 0,60 мкс макс.
    • Время выключения: 0,53 мкс тип., 1,00 мкс макс.
    • Время спада: 0,06 мкс тип., 0,30 мкс макс.
    • Прямое напряжение обратного диода на выводах: 2,25 В тип., 2,70 В макс. при 25 °C
    • Прямое напряжение обратного диода на кристалле: 1,70 В тип., 2,15 В макс. при 25 °C
    • Время обратного восстановления диода: до 0,35 мкс
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, IGBT: 0,29 °C/Вт
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, диод: 0,44 °C/Вт
    • Контактное тепловое сопротивление: 0,05 °C/Вт тип. с термопастой
    • Встроенный датчик температуры: NTC-термистор
    • Сопротивление термистора: 5 кОм при 25 °C
    • Сопротивление термистора при 100 °C: 495 Ом тип.
    • Постоянная B термистора: 3375 К тип.
    • Максимальная температура перехода: +175 °C
    • Максимальная рабочая температура перехода: +150 °C
    • Максимальная температура корпуса: +125 °C
    • Температура хранения: −40…+125 °C
    • Напряжение изоляции: 2500 В AC, 1 минута
    • Корпус: EconoPACK, M633
    • Тип выводов: выводы под пайку
    • Тип монтажа: печатная плата и винтовое крепление к радиатору
    • Размеры основания: 122 × 62 мм
    • Масса: 300 г
    • Соответствие требованиям: RoHS
    • Статус изделия: выпускается серийно

    Похожие товары

    Металлическая клавиатура AK-207-N-SSL-WP-MM-GR ACCORD
    Быстрый просмотр
    Металлическая клавиатура AK-207-N-SSL-WP-MM-GR ACCORD
    Есть в наличии: 1
    2 900 ₽
    Варианты цен
    2 900 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    NAND-вентиль MC679P
    Быстрый просмотр
    NAND-вентиль MC679P
    Есть в наличии: 2
    5 000 ₽
    Варианты цен
    5 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Преобразователь TMG07124
    Быстрый просмотр
    Преобразователь TMG07124
    Есть в наличии: 3
    5 500 ₽
    Варианты цен
    5 500 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Алюминиевый электролитический конденсатор EEE-FK1E471P Panasonic
    Быстрый просмотр
    Алюминиевый электролитический конденсатор EEE-FK1E471P Panasonic
    Есть в наличии: 100
    39 ₽
    Варианты цен
    39 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Диод RHRG30120
    Быстрый просмотр
    Диод RHRG30120
    Есть в наличии: 119
    150 ₽
    Варианты цен
    150 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    CMOS-аналоговый мультиплексор MAX306EPI
    Быстрый просмотр
    CMOS-аналоговый мультиплексор MAX306EPI
    Есть в наличии: 16
    1 050 ₽
    Варианты цен
    1 050 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    SKIIP23NAB126V1
    Быстрый просмотр
    SKIIP23NAB126V1
    Под заказ 3-4 недели
    6 500 ₽
    Варианты цен
    6 500 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    ДИОДНЫЙ МОСТ MXG/MXY 50-12 (4-х выводной)
    Быстрый просмотр
    ДИОДНЫЙ МОСТ MXG/MXY 50-12 (4-х выводной)
    Под заказ 3-4 недели
    5 000 ₽
    Варианты цен
    5 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    XGN400N60B3
    Быстрый просмотр
    XGN400N60B3
    Под заказ 3-4 недели
    3 000 ₽
    Варианты цен
    3 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Транзистор STW9NK9SZ
    Быстрый просмотр
    Транзистор STW9NK9SZ
    Есть в наличии: 29
    180 ₽
    Варианты цен
    180 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    K4B4G1646E-BYMA000 память DDR3L SDRAM Samsung
    Быстрый просмотр
    K4B4G1646E-BYMA000 память DDR3L SDRAM Samsung
    Есть в наличии: 30
    1 000 ₽
    Варианты цен
    1 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    SQL50A трёхфазный диодный мост Thinki Semiconductor
    Быстрый просмотр
    SQL50A трёхфазный диодный мост Thinki Semiconductor
    Есть в наличии: 5
    624 ₽
    Варианты цен
    624 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    SA39-11SRWA светодиодный 7-сегментный индикатор Kingbright
    Быстрый просмотр
    SA39-11SRWA светодиодный 7-сегментный индикатор Kingbright
    Есть в наличии: 170
    78 ₽
    Варианты цен
    78 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    VS-36MT120 трёхфазный диодный мост Vishay
    Быстрый просмотр
    VS-36MT120 трёхфазный диодный мост Vishay
    Есть в наличии: 16
    1 000 ₽
    Варианты цен
    1 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Драйвер затвора IR2128 Infineon Technologies 600 В
    Быстрый просмотр
    Драйвер затвора IR2128 Infineon Technologies 600 В
    Есть в наличии: 38
    858 ₽
    Варианты цен
    858 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    6ES7223-1PL32-0XB0 цифровой модуль ввода-вывода Siemens SM 1223
    Быстрый просмотр
    6ES7223-1PL32-0XB0 цифровой модуль ввода-вывода Siemens SM 1223
    Есть в наличии: 2
    14 591 ₽
    Варианты цен
    14 591 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    SA39-12EWA светодиодный 7-сегментный индикатор Kingbright
    Быстрый просмотр
    SA39-12EWA светодиодный 7-сегментный индикатор Kingbright
    Есть в наличии: 1621
    90 ₽
    Варианты цен
    90 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    6ES7216-2AD23-0XB0 программируемый контроллер SIMATIC S7-200 CPU 226 Siemens
    Быстрый просмотр
    6ES7216-2AD23-0XB0 программируемый контроллер SIMATIC S7-200 CPU 226 Siemens
    Есть в наличии: 1
    14 193 ₽
    Варианты цен
    14 193 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Конфигурационная память EPC2TI32N Altera
    Быстрый просмотр
    Конфигурационная память EPC2TI32N Altera
    Есть в наличии: 27
    6 500 ₽
    Варианты цен
    6 500 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    VS-70MT120KPBF трёхфазный диодный мост Vishay
    Быстрый просмотр
    VS-70MT120KPBF трёхфазный диодный мост Vishay
    Есть в наличии: 13
    2 000 ₽
    Варианты цен
    2 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине

    Нужна консультация?

    Наши специалисты ответят на любой интересующий вопрос
    Задать вопрос
    Каталог
    • IGBT модули
    • Транзисторы биполярные (IGBTs)
    • Диодно-тиристорные модули
    • Средства разработки и прототипирования
    • Промышленное оборудование
    • Драйверы для IGBT модулей
    • Микросхемы
    • Транзисторы полевые
    • Серверное оборудование
    Каталог
    IGBT модули
    Транзисторы биполярные (IGBTs)
    Диодно-тиристорные модули
    Средства разработки и прототипирования
    Промышленное оборудование
    Драйверы для IGBT модулей
    Микросхемы
    Транзисторы полевые
    В наличии
    Серверное оборудование
    Товары в наличии
    IGBT модуль CM300DY-12NF
    FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
    IGBT модуль IRAM136-3063B
    IGBT модуль CM600DY-24A
    CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
    IGBT модуль CM200DY-12NF
    IGBT модуль SKM300GB125D
    Модуль SKKT570/18E
    Транзистор FGL40N120AND
    IGBT модуль MCC501-16IO2
    О компании
    О компании
    Как купить
    Контакты
    Согласие на обработку данных
    Политика конфиденциальности
    Политика в отношении файлов cookie
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    zakaz@soft-logistic.ru
    г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
    Поиск компонентов
    +79953012809
    Max
    2017-2026 © ООО «Софт-Логистик»
    Разработано
    Digital Agency