- Производитель: Samsung
- Модель: K4B4G1646E-BYMA
- Тип компонента: микросхема оперативной памяти DRAM
- Стандарт памяти: DDR3L SDRAM
- Поколение кристалла: E-die
- Ёмкость: 4 Гбит
- Организация: 256M × 16
- Внутренняя организация: 8 банков, 32M × 16 на банк
- Разрядность шины данных: 16 бит
- Скоростной режим исполнения BYMA: DDR3L-1866
- Скорость передачи данных: до 1866 МТ/с на вывод
- Тактовая частота: до 933 МГц
- Тайминги DDR3L-1866: CL-tRCD-tRP 13-13-13
- Минимальный период тактового сигнала tCK: 1,071 нс
- Номинальное напряжение питания VDD/VDDQ: 1,35 В; поддерживается режим 1,5 В
- Температура корпуса при работе: 0...+95 °C
- Средний интервал обновления: 7,8 мкс до +85 °C; 3,9 мкс выше +85 °C
- Длина пакета передачи: 8 или 4
- Предвыборка: 8 бит
- Терминация на кристалле: ODT
- Корпус: 96 FBGA
- Тип монтажа: поверхностный
Описание K4B4G1646E-BYMA микросхема памяти DDR3L 4 Гбит 1866 МТ/с Samsung
K4B4G1646E-BYMA - микросхема оперативной памяти DDR3L SDRAM производства Samsung. Ёмкость микросхемы составляет 4 Гбит с организацией 256M × 16. Это отдельный чип для монтажа на плату, а не готовый модуль оперативной памяти. Он может применяться при производстве электронных устройств и ремонте плат, рассчитанных на такой тип памяти.
Исполнение BYMA поддерживает скорость передачи данных до 1866 МТ/с (обозначение DDR3L-1866) при тактовой частоте 933 МГц. Для этого режима производитель указывает тайминги 13-13-13. Микросхема также совместима с режимами DDR3L-1600 и DDR3L-1333 при соответствующей настройке контроллера памяти.
Номинальное напряжение питания составляет 1,35 В; техническое описание Samsung также предусматривает работу при 1,5 В. Корпус 96 FBGA предназначен для поверхностного монтажа. При подборе микросхемы для замены следует сверить полное обозначение K4B4G1646E-BYMA, организацию памяти ×16, расположение выводов и требования платы к режиму работы.
Область применения
- Производство плат с памятью DDR3L
- Ремонт и восстановление электронных устройств
- Встраиваемые вычислительные системы
- Оборудование, в котором предусмотрена установка микросхем памяти с организацией ×16
Техническая спецификация
|
Похожие товары
